考核指标：突破关键技术3项以上，申请/获得发明专利3项以上，形成产品1个；开展应用示范2个以上，形成集成电路布图设计1项以上，实现销售收入（产值）1000万元。

有关说明：该条指南由企业牵头申报，要求产学研联合申报，支持项目不超过3项，每项支持经费不超过100万元。

（2）多芯片封装关键技术研究与应用。

研究内容：研究一种多功能单元的集成封装技术，将多种芯片或者集成处理器、存储器、无源元器件的微模组进行一体化集成封装，解决多芯片封装散热问题，以实现小型化目标。

考核指标：突破关键技术2项，申请/获得发明专利2项、形成产品1个；开展应用示范1个，实现销售收入（产值）1000万元。

（3）大功率高效率微波功率放大器芯片设计与应用。

研究内容：开发一款大功率、高效率的微波功率放大器，开展高线性度和低功耗技术研究，突破高线性度和高效率功率放大器技术，实现集成电路关键器件的国产化。

考核指标：突破关键技术3项；申请/获得发明专利2项、形成集成电路布图设计5项以上；形成产品1个，开展应用示范1个以上；实现销售收入（产值）3000万元。

（4）新型SiC功率MOSFET芯片的研发与应用。

研究内容：研究基于第三代宽禁带SiC（碳化硅）的功率MOSFET（金属—氧化物半导体场效应晶体管）芯片技术。突破传统硅基功率芯片在功率容量上的限制，突破传统SiC MOSFET在反向恢复性能低的问题。形成高电流密度、低比导通电阻和具有自我反向恢复能力的新型SiC功率MOSFET芯片。

考核指标：突破关键技术2项，申请/获得发明专利3项，形成产品2个以上，开展应用示范2个以上，实现销售收入（产值）5000万元。

（5）高性能智能变频控制MCU技术研究及应用。

研究内容：研究基于RISC-V（精简指令集计算机）高算力CPU核心，采用超低功耗工艺的智能变频控制MCU（微控制单元）芯片，突破高精度ADC（模—数转换器）集成技术、软硬件安全设计技术、算法硬件化、内置嵌入式闪存（eflash）等关键技术，实现高性能低成本的智控MCU研发与量产。

考核指标：突破关键技术2项；申请/获得发明专利4项，形成产品2个；开展应用示范2个以上，形成集成电路布图设计1项以上，年产芯片1000万颗，实现销售收入（产值）5000万元。

（6）高性能高集成度的压控振荡器芯片关键技术研发与应用。

研究内容：针对未来通信系统超宽带、低相噪、低调谐电压、高集成度等技术要求，开展多段式超宽带压控振荡器芯片技术研究，采用创新的电感耦合技术手段，同时对压控振荡器的LC（电感电容）谐振器中的电感和电容进行调谐。提升压控振荡器工作带宽、提高相位噪声指标、降低调谐电压要求、集成可编程分频器功能，加快超宽带、高性能、高集成度的压控振荡器芯片的产业化应用。