”和面向2035中长期的经济发展和产业升级所需的新技术、新材料、新产品、新工艺等应用研究和技术攻关，注重技术突破、应用示范、产品开发和产业化示范。

除特别说明外，每项项目经费支持额度一般不超过100万元，具体见指南有关说明。

电子信息领域：

1.集成电路与新型显示。

有关说明：集成电路与新型显示领域指南，要求企业（含转制科研院所）牵头，鼓励产学研联合申报，重点支持联合创新联合体、新型研发机构申报；每项项目支持经费不超过100万元；牵头企业注册资金不低于500万元或上年度营业收入不低于500万元。（相关指南条目另有要求的以指南条目具体要求为准）。

（1）超导单光子探测芯片的超分辨加工技术研究。

研究内容：研究超导单光子探测芯片的超分辨加工技术，突破该芯片加工中的超分辨、重复步进和跨尺度等关键技术，解决当前加工技术存在的效率低、成本高、无法应用于产业化生产的难题，实现具有自主知识产权、高效、低成本的超导单光子探测芯片的加工方法，为中小批量的芯片制造提供支撑。

考核指标：突破关键技术3项以上，申请发明专利3项以上；形成1类超导单光子探测芯片。

有关说明：该条指南可由高校、科研院所牵头申报。

（2）基于5G应用的国产先进工艺IP核研发。

研究内容：针对5G通信系统主控芯片吞吐数据率性能要求，基于JESD204C等协议标准，开展可扩展多通道的高速串行通信IP架构研究。解决高速串行信号输出抖动、传输损耗以及码间干扰等信号完整性、低功耗和低管脚数设计、精度与资源消耗动态平衡、SerDes IP量产可靠性测试覆盖率等问题，提升5G通信芯片中有效载荷传输效率和链路稳健性。

考核指标：突破关键技术6项以上，申请发明专利6项以上，集成电路布图设计3项以上；形成产品1个以上，在5G等领域开展应用示范1个以上；新增销售收入（产值）1200万元。

（3）芯片集成封装技术与材料研发。

研究内容：开展芯片封装新技术、新材料、焊接新工艺和技术研发与应用，解决深孔金属化、异质共面植球与键合、封装真空气相回流焊等工艺技术，优化封装设计和制程工艺。

考核指标：突破关键工艺技术5项，申请发明专利5项以上；形成产品2个以上，开展应用示范1个以上，新增销售收入（产值）1000万元。

（4）5G大功率相控阵芯片组研发与应用示范。

研究内容：分析大功率开关的工艺和晶体管阻抗匹配因素，研究大功率条件下抑制开关晶体管阻抗失配的方法，低噪放、开关在大功率条件下的隔离保护方法，大功率功放、低噪放和开关一体化的电路实现方式，多功能芯片复杂电路去耦方法，研制适用于相控阵大功率通道的专用芯片组。