考核指标：突破关键技术3项以上，申请/获得发明专利5项以上，标准1项，形成产品1个，建成万吨级产线1条，开展应用示范1个，实现销售收入（产值）1亿元。（实现首次放电克容量 ≥ 225mAh/g，工作电压平台 ≥ 3.72V vs Li+/Li，粉体压实密度 ≥ 3.6g/cm3，全电池千周循环保持率 ≥ 80%。）

（11）低成本大尺寸N型单晶硅棒的稳定生长技术研究与应用。

研究内容：研究M10（182 mm）以上大尺寸热场结构、模拟热场和试制实验，开发可稳定控制单晶生长的拉晶工艺；研究掺杂技术、拉晶速度、埚转转速和投料重量等对硅棒电阻率分布均匀性的影响，提高N型单晶径向品质的均匀性；研究原料品质、关键热场部件的灰分及杂质含量对单晶少子寿命的影响；开发拼接型热场设计以降低热场结构部件的损耗，同时研究高稳定热场纯化及涂覆技术。

考核指标：突破关键技术3项以上，申请/获得发明专利8项以上，实现M10以上尺寸硅棒截面上任意点的少子寿命>1000 μs，硅棒氧含量≤12 ppma，碳含量≤1 ppma，形成产品2个，开展应用示范1个，实现销售收入（产值）3000万元。

（12）高耐候性晶硅光伏组件及能源管理技术研究与应用。

研究内容：研究光伏组件的可靠性，开发低透水、高绝缘、耐紫外及湿热的光伏组件封装材料，研究电池互联、封装工艺、组件结构与组件性能之间的关系，对组件的可靠性进行全面评测，提出提高光伏组件可靠性的技术方案；优化组件应用端的串、并联电路设计方案和多通道MPPT（最大功率点跟踪）控制器独立调节的拓扑结构，形成一套科学的能源管理系统方案，同时研究光伏发电与其它能源形式的耦合技术，实现多场景应用示范。

考核指标：突破关键技术3项以上，组件湿热可靠性提高到现有IEC标准3倍以上，组件发电功率比常规工艺提高5%及以上，申请/获得发明专利5项以上，形成产品2个，开展应用示范3个以上，实现销售收入（产值）3000万元。

（13）分布式高性能闪存芯片阵列技术研究与应用。

研究内容：研发基于FPGA（现场可编程逻辑门阵列）的网存融合加速DPU（数据处理单元）芯片。突破DPU芯片的RDMA（远程直接数据存取）、可编程拥塞控制算法、VirtIO（虚拟I/O）内容设计研发，突破基于DPU芯片的异构数据中心CPU、GPU、存储分布式池化部署和异构算力高效转发技术研发，实现存储加速、网络加速、虚拟化协议栈卸载、RoCE（远程内存直接访问融合以太网）等功能，开发基于DPU芯片的网存融合加速管理平台软件。